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中国电科电子基础前沿成果酷炫来(lái)袭 体系亮相珠海(hǎi)航展
来源:新闻中心
发布(bù)时间:2024年(nián)11月11日 编(biān)辑:新闻中心

  11月(yuè)12日,在第十(shí)五届(jiè)中国国际航(háng)空(kōng)航天博览会上,中国电科电子基础(chǔ)板块成体(tǐ)系展出(chū)核(hé)心元器件、集成电路(lù)、制造装(zhuāng)备、封装测试等领域从(cóng)原材料到(dào)终端产品的完整产业链,一大波(bō)电子基础前沿成果惊艳亮相(xiàng)本届航(háng)展。

  “电子基础展区直观展现了我们在信息技术领域的发展水平,全面(miàn)的专(zhuān)业(yè)领域、齐(qí)全的产(chǎn)业链及完(wán)备(bèi)的自(zì)主(zhǔ)创(chuàng)新(xīn)能力,可以(yǐ)带动相关产业的(de)持续发展。”中国电科相关技术负责人表(biǎo)示。

  走进电子元器件领域展(zhǎn)区,为(wéi)本(běn)次(cì)展会展出的电子元(yuán)器件琳琅满目映入眼(yǎn)帘(lián),具(jù)备自主(zhǔ)技(jì)术产(chǎn)品体系的真空器(qì)件,光电子器件、电能源等领(lǐng)域元器件,4k红(hóng)外探测器芯片(piàn)、5-18GHz超宽带小型化微波功率模块(kuài)、硅光无源(yuán)SiN光学陀螺组(zǔ)件、数控(kòng)YIG带阻滤波器(qì)组件、系列厚膜超小(xiǎo)型(xíng)电源等产(chǎn)品,在航空(kōng)航天、雷达、电子对抗以及无线通信方面各显(xiǎn)其能。

  在集成(chéng)电路展区,中国电科全面(miàn)布局一(yī)代、二代、三代(dài)、四代(dài)半导体领域,形成(chéng)从材料-装备-工艺-设计(jì)-封测的完整产(chǎn)业链,成(chéng)功研发高(gāo)性(xìng)能(néng)CPU、DSP、FPGA、MCU等高端(duān)芯片,抗辐射反熔丝PROM、总线(xiàn)接(jiē)口、射频模拟器、电源管理(lǐ)、砷(shēn)化镓/氮化(huà)镓微波毫米波单片电(diàn)路、高(gāo)速硅光模块等谱系化集成电路(lù)产(chǎn)品,有力提升产业链供应链(liàn)韧性和安全(quán)水平。

  “依托在集成电路装备领域的深厚(hòu)积淀,中国(guó)电(diàn)科持(chí)续(xù)推(tuī)进产品迭代升级和产(chǎn)业化应用(yòng),致(zhì)力于(yú)为客户提供(gòng)从(cóng)单台(tái)-局部成套-整线集成的系统(tǒng)解决方案。”在集成电路制造设备(bèi)领域(yù),离子(zǐ)注入机、CMP、湿法清洗、立式炉、减薄划切等(děng)关键核心设备成体(tǐ)系布局情况(kuàng)清晰呈现。目(mù)前,中国电科已(yǐ)具备8英寸集成电路整线集成与局部成套能力,并在第三(sān)代半导体(tǐ)设备领(lǐng)域方面成体(tǐ)系布局了(le)SiC单晶及(jí)外延生(shēng)长设(shè)备、SiC晶圆减薄机、SiC晶(jīng)圆缺陷检测设备、SiC高温(wēn)退(tuì)火及氧化炉等关键核心设备,具备6-8英寸第三代半导体(tǐ)整线(xiàn)集成(chéng)与局(jú)部成套能力。

  在电子测(cè)量(liàng)仪器领域,中国电科长期致力于电子测试前沿技术的探索和研(yán)究(jiū),实现了高端重大科学仪器和通用电子测量仪器系列(liè)重大(dà)技术突破,特别是在微波毫米波、光电、通(tōng)信、基(jī)础测量以及相(xiàng)关技(jì)术(shù)领域。本次展(zhǎn)览紧扣低空经济、商业航天、可持(chí)续(xù)航空(kōng)等前(qián)沿(yán)领域,重点展出了雷达信号产生和(hé)分析解(jiě)决方案、射(shè)频外场(chǎng)测试解决(jué)方案、便携式雷达综合测试回波模拟方(fāng)案等(děng)产品,为航空航天(tiān)事业提供中(zhōng)国测试方案(àn)。

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